多層陶瓷電容的發(fā)展現(xiàn)狀分析

對(duì)于電容而言，小型化和高容量是永恒不變的發(fā)展趨勢(shì)。其中，要數(shù)多層陶瓷電容(MLCC)的發(fā)展最快。

多層陶瓷電容在便攜產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用極為廣泛，但近年來數(shù)字產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)步對(duì)其提出了新要求。例如，手機(jī)要求更高的傳輸速率和更高的性能;基帶處理器要求高速度、低電壓;LCD模塊要求低厚度(0.5mm)、大容量電容。而汽車環(huán)境的苛刻性對(duì)多層陶瓷電容更有特殊的要求：首先是耐高溫，放置于其中的多層陶瓷電容必須能滿足150℃的工作溫度;其次是在電池電路上需要短路失效保護(hù)設(shè)計(jì)。

也就是說，小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關(guān)鍵特性。

陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常數(shù)，因此需要從材料方面，降低介電常數(shù)對(duì)電壓的依賴，優(yōu)化直流偏置電壓特性。

應(yīng)用中較為常見的是X7R(X5R)類多層陶瓷電容，它的容量主要集中在1000pF以上，該類電容器主要性能指標(biāo)是等效串聯(lián)電阻(ESR)，在高波紋電流的電源去耦、濾波及低頻信號(hào)耦合電路的低功耗表現(xiàn)比較突出。

另一類多層陶瓷電容是C0G類，它的容量多在1000pF以下，該類電容器主要性能指標(biāo)是損耗角正切值tgδ(DF)。傳統(tǒng)的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0～8.0)×10-4，而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0～2.5)×10-4，約是前者的31～50%。該類產(chǎn)品在載有T/R模塊電路的GSM、CDMA、無繩電話、藍(lán)牙、GPS系統(tǒng)中低功耗特性較為顯著。較多用于各種高頻電路，如振蕩/同步器、定時(shí)器電路等。